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Detalles de los productos

Created with Pixso. Hogar Created with Pixso. Productos Created with Pixso.
Dispositivos SSD industriales
Created with Pixso. SSD NVMe PCIe M.2 Compacto P50 NVMe Gen3 X4 para Entornos Hostiles

SSD NVMe PCIe M.2 Compacto P50 NVMe Gen3 X4 para Entornos Hostiles

Nombre De La Marca: NUW
Número De Modelo: P50
Cuota De Producción: 10
Precio: $70-450/pcs
Tiempo De Entrega: Entre 10 y 15 días
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
China
Certificación:
AEC-Q100、RoHS、REACH、UL/CE
factor de forma:
M.2 2280
Lectura y escritura secuenciales:
Se aplican las siguientes medidas:
Interfaz:
PCle 3.0x4 NVMe 1 y el resto.2
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C
Dimensiones (mm):
80.0 por 22.0 por 3.6
Confiabilidad de choque:
1500 g/0,5 ms
Detalles de empaquetado:
Envases personalizables disponibles
Capacidad de la fuente:
鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆
Resaltar:

SSD NVMe PCIe M.2 Compacto

,

SSD NVMe PCIe M.2 1000MB/s

,

Entornos Hostiles nvme gen3 x4

Descripción del Producto

SSD M.2 industrial P50 | Almacenamiento NVMe compacto y estable para entornos hostiles

Descripción del producto

Serie NUW P50iSSD industrial Módulo M.2 PCIe 3.0 ofrecerendimiento de alta velocidad (hasta 3000/1000 MB/s de lectura/escritura) conprotocolo PCIe Gen3x4NVMe yfactor de forma compacto M.2 2280/2242, optimizado para sistemas industriales con limitaciones de espacio.  Diseñado para entornos hostiles, presenta​​tolerancia de temperatura amplia de -40 °C a 85 °C,flash NAND 3D TLC yLDPC ECC para una mayor integridad y durabilidad de los datos en tareas críticas.  Ideal paraautomatización industrial,computación periférica,sistemas de transporte ydispositivos integrados robustos, equilibrabajo consumo de energía conresistencia a golpes/vibraciones, lo que garantiza un funcionamiento estable en aplicaciones exigentes de IoT y AIoT

 

Parámetros del producto

Información básica

Factor de forma

M.2 2280

Interfaz

PCle 3.0x4 NVMe 1.2

Dimensión (mm)

80,0 × 22,0 × 3,6

Caché

DRAM

Flash

TLC

Capacidad

1 TB, 2 TB

Temperatura

Temperatura de funcionamiento

-40 ℃ ~ 85 ℃

Temperatura de almacenamiento

-55 ℃ ~ 95 ℃

Rendimiento

Lectura/escritura secuencial

3000 MB/s; 1000 MB/s

IOPS de lectura/escritura aleatoria (4K)      

220K IOPS; 200K IOPS

Fiabilidad

MTBF

2.000.000 horas

Vibración

15 g (10 ~ 2000 Hz)

Choque

1500 g/0,5 ms

Humedad

5% ~ 95% (sin condensación)

Eléctrico

Fuente de alimentación

3,3 V ± 5%

Consumo de energía

Activo ≤ 13 W

Inactivo ≤ 3,6 W

Funciones opcionales

Borrado seguro

Borrado rápido

Destrucción física

N/A

 

 

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Created with Pixso. SSD NVMe PCIe M.2 Compacto P50 NVMe Gen3 X4 para Entornos Hostiles

SSD NVMe PCIe M.2 Compacto P50 NVMe Gen3 X4 para Entornos Hostiles

Nombre De La Marca: NUW
Número De Modelo: P50
Cuota De Producción: 10
Precio: $70-450/pcs
Detalles Del Embalaje: Envases personalizables disponibles
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
China
Nombre de la marca:
NUW
Certificación:
AEC-Q100、RoHS、REACH、UL/CE
Número de modelo:
P50
factor de forma:
M.2 2280
Lectura y escritura secuenciales:
Se aplican las siguientes medidas:
Interfaz:
PCle 3.0x4 NVMe 1 y el resto.2
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C
Dimensiones (mm):
80.0 por 22.0 por 3.6
Confiabilidad de choque:
1500 g/0,5 ms
Cantidad de orden mínima:
10
Precio:
$70-450/pcs
Detalles de empaquetado:
Envases personalizables disponibles
Tiempo de entrega:
Entre 10 y 15 días
Condiciones de pago:
T/T
Capacidad de la fuente:
鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆
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,

SSD NVMe PCIe M.2 1000MB/s

,

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Descripción del Producto

SSD M.2 industrial P50 | Almacenamiento NVMe compacto y estable para entornos hostiles

Descripción del producto

Serie NUW P50iSSD industrial Módulo M.2 PCIe 3.0 ofrecerendimiento de alta velocidad (hasta 3000/1000 MB/s de lectura/escritura) conprotocolo PCIe Gen3x4NVMe yfactor de forma compacto M.2 2280/2242, optimizado para sistemas industriales con limitaciones de espacio.  Diseñado para entornos hostiles, presenta​​tolerancia de temperatura amplia de -40 °C a 85 °C,flash NAND 3D TLC yLDPC ECC para una mayor integridad y durabilidad de los datos en tareas críticas.  Ideal paraautomatización industrial,computación periférica,sistemas de transporte ydispositivos integrados robustos, equilibrabajo consumo de energía conresistencia a golpes/vibraciones, lo que garantiza un funcionamiento estable en aplicaciones exigentes de IoT y AIoT

 

Parámetros del producto

Información básica

Factor de forma

M.2 2280

Interfaz

PCle 3.0x4 NVMe 1.2

Dimensión (mm)

80,0 × 22,0 × 3,6

Caché

DRAM

Flash

TLC

Capacidad

1 TB, 2 TB

Temperatura

Temperatura de funcionamiento

-40 ℃ ~ 85 ℃

Temperatura de almacenamiento

-55 ℃ ~ 95 ℃

Rendimiento

Lectura/escritura secuencial

3000 MB/s; 1000 MB/s

IOPS de lectura/escritura aleatoria (4K)      

220K IOPS; 200K IOPS

Fiabilidad

MTBF

2.000.000 horas

Vibración

15 g (10 ~ 2000 Hz)

Choque

1500 g/0,5 ms

Humedad

5% ~ 95% (sin condensación)

Eléctrico

Fuente de alimentación

3,3 V ± 5%

Consumo de energía

Activo ≤ 13 W

Inactivo ≤ 3,6 W

Funciones opcionales

Borrado seguro

Borrado rápido

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